SJ 50033.129-1997 半导体分立器件3DD155型低频大功率晶体管详细规范

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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/129-97,半导体分立器件3DD155型,低频大功率晶体管详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DD155,low - frequency and high - power transistor,1997.06?17 发布1997-10-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,下载,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3DD155型低频大功率晶体管详细规范 050033/129-97,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DD155,low - frequency and high - power transistor,范围,1.1 主题内容,本规范规定了 3DD155 A.F型低频大功率晶体管(以下简称器件)的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33(半导体分立器件总规范》1.3的规定,提供的质量等级为普军、特军和超特军三,级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4587-94双极型晶体管,GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应符合GJB 33和本规范的规定,3.2 设计和结构,器件的设计和结构应按GJB 33的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端材料应为可伐,引出端表面为锡层或银层,3.2.2 器件结构,器件为外延台面或三重扩散台面结构,中华人民共和国电子工业部!99L06-17发布 !997-10-01实施,—1 —,SJ 50033/129-97,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸应符合GB 758I中的B2-01B型的要求,见图1,号,B2—O1B,min nom max,A 9.8,物1.52,跖2 0.9 1.1,虹) 15.0,d 3.0*,F 3.0,L 8.5 10.5,レ1.5,即4.0 4.2,q 22.8 23.2,Ri 9.5,& 4.3,S 13.1*,ル31.4,u2 19.0,1一基极,2ー发射成,外壳一集电极,图1外形图,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,型号,1),pto.,般=25七,W,VcHO,V,CEO,V,Vebo,V,4,A,* ア卿,匕,3DD155A 80 50,3DD155B 150 100,3DD155C,3DD155D,30,200,250,150,200,5 2 175 -55-175,3DD155E 300 250,3DD155F 350 300,-2,SJ 50033/129-97,注:1)底>25匕时,按200mW/K的速率线性地降额,3.3.2 主要电特性(Ta = 25じ),X极限值,型号、,1),%FE1,3 5V,Ic= 1A,VcEsnt,yiA,攵二 OJA,V,&,ム二1A,Ib=0.1A,V,c,Vce=10V,;c = 0,5A,25t

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